福田昭のストレージ通信(116) 3D NANDのスケーリング(4):3D NANDフラッシュメモリの断面構造と製造工程 (1/2) - EE Times Japan2018.09.23 17:44たかのりふくやまCircle "NGL" Founder / Serial Entrepreneur / LDH / CommunityManager/ Engineer(python,Swift) / DataScientist / SDGs / AddressHopperこの著者の記事一覧へ3D NANDフラッシュメモリの断面構造と製造工程 (1/2)2018年5月に開催された国際会議「IMW」で行われたセミナー「3D NAND技術とそのスケーリングに関する材料とプロセス、製造装置の展望」の概要をシリーズで紹介している。今回は、3D NANDフラッシュメモリの断面構造と、メモリセルアレイの製造工程を解説しよう。EE Times Japan0コメント1000 / 1000投稿2018.09.24 09:50離島防衛に超音速滑空弾=防衛省、26年度実用化目指す-沖縄に配備念頭2018.09.23 17:44【新連載】元日銀マン・鈴木卓実の「ガンダム経済学」:ガンダムの宇宙世紀でインフレは起きたのか? (1/5) - ITmedia ビジネスオンライン
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